关于半导体激光器与氦氖激光的对比

关于半导体激光器与氦氖激光的对比

波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米，显然优于半导体激光635纳米和650纳米。

氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是的，这已经是光学界的共识。

半导体激光器的线宽在各种激光器中是zui宽的，可以达到几十至几百cm-1，也就是说半导体激光器的单色性是zui差的。

从激光原理看，激光发光与跃迁能级差有关，发光的波长与能级差的关系可以描述为  ΔΕ=hν=hс/λ  式中h为普朗克常数，ν为波数，c为光速，λ为波长，ΔΕ=E2-E1 是上下能级之差。

氦氖激光受激发射是在原子的能级之间跃迁是一个定值，因此波长λ也是一定的。

但是，半导体激光是电子在能带之间跃迁，能带本身有一个宽度，设电子低能态的能量为E1—E1+ΔE1之间，电子高能态E2—E2+ΔE2之间，跃迁能量ΔΕzui大值为E2-E1+ΔE2跃迁能量zui小值 E2-E1-ΔE1。在此能量范围之内，发出的光波长当然也是不确定的。因此，半导体激光发出的波长是在一个范围之内的多种波长的光的集合。

半导体激光除了波长长，线宽宽，单色性差以外还有温度稳定性差的突出缺点，所以很少用于计量与测试。它的优点是工作电压低、体积小、转换效率高。因此可以广泛用于对单色性要求不高的工业与民用场合。